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參考號:APN035
日期:2018年2月8日

荷蘭奈梅亨 – 2018年2月8日,安譜隆半導體(Ampleon)今天宣佈,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器電晶體。這是第一款採用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS制程的射頻能量電晶體——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。它設計用於900至930MHz ISM頻段中的工業加熱連續波(CW)射頻能量應用。該電晶體採用小型陶瓷SOT502封裝,結合了大輸出功率和以小尺寸提供同類最佳工作效率的優勢。此舉減少了所需的空間,從而降低了放大器設計的成本。

由於其高工作效率——通常高於68%,其冷卻需求也保持在最低限度,這有助於進一步降低所需的空間。

BLF0910H9LS600具有高增益的優勢——其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB類應用中以50V VDS測得——這有助於提高放大器的整體效率。

透過使用2個這種小型SOT502封裝的600W電晶體,設計師可以在與單個SOT539封裝相同的空間中搭建出一個1.2kW的射頻功率放大器。這種架構還有助於降低電晶體溫度,從而有效實現比單個SOT539解決方案更高的效率。

BLF0910H9LS600內建了ESD保護和內部輸入匹配。此匹配增加了電晶體的輸入阻抗,簡化了PCB匹配結構的設計,從而可實現緊湊的放大器設計。

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關於安譜隆半導體(Ampleon):

安譜隆半導體創立於2015年,在射頻功率領域擁有50年的領導地位,旨在發揮射頻領域資料和能量傳輸的全部潛力。安譜隆半導體在全球擁有超過1,350名員工,致力於為客戶創造最佳價值。 其創新而又一致的產品組合,可為諸如行動寬頻基礎設施、收音機和電視廣播、CO2雷射器和等離子體、核磁共振成像(MRI)、粒子加速器、雷達和空中交通管制、非蜂巢式通訊、射頻烹飪和除霜、射頻加熱和等離子照明等廣泛應用提供產品和解決方案。欲瞭解有關射頻功率領域全球領先合作夥伴的詳細資訊,請訪問www.ampleon.com