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参考号:APN065

日期:2019年5月

荷兰奈梅亨 – 2019年5月8日,埃赋隆半导体(Ampleon)现在宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术(Advanced Rugged Technology,ART),并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产品。这个新工艺的开发旨在用于实现极其坚固的、工作电压高达65V的晶体管。

首款采用该工艺的产品ART2K0FE是一款2kW的晶体管,其频率响应为0至650MHz,采用气腔陶瓷封装。其设计能够承受工业、科学和医疗(ISM)应用中常见的最恶劣的条件,可用于驱动大功率CO2激光器、等离子发生器和一些MRI系统。ART器件之所以适用于这些应用,是因为其可以处理65V条件下高达65:1的驻波比(VSWR)失配,而这在CO2激光器和等离子发生器工作时可能碰到。

基于ART工艺开发的器件具有很高的阻抗,因此在开发阶段更容易将其集成到产品中,并确保在批量生产中具有更高的产品一致性。该工艺还可使所开发的器件比LDMOS竞争产品更加高效。这样便可通过节省输入电能,降低发热,来降低最终应用的运营成本。此外,采用该工艺的器件还可实现更高的功率密度,也就是说,它们可以采用更小、更低成本的封装,从而减少其电路板占位面积,进而降低系统成本。

ART器件还具有高击穿电压,有助于确保它们在整个预期寿命期间始终如一地可靠工作。埃赋隆半导体还保证这类器件可以供货15年,从而使产品设计人员可以进行长期规划。

采用气腔陶瓷封装的ART2K0FE现可提供样品,并有不同频率的参考电路可以选择。埃赋隆半导体还提供较低热阻的超模压塑料版本ART2K0PE。两种版本预计在2019年下半年量产。

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关于埃赋隆半导体(Ampleon):

埃赋隆半导体创立于2015年,在射频功率领域拥有50年的领导地位,旨在发挥射频领域数据和能量传输的全部潜力。埃赋隆半导体在全球拥有超过1,350名员工,致力于为客户创造最佳价值。其创新而又一致的产品组合,可为诸如移动宽带基础设施、无线电和电视广播、CO2激光器和等离子体、核磁共振成像(MRI)、粒子加速器、雷达和空中交通管制、非蜂窝通信、射频烹饪和除霜、射频加热和等离子照明等广泛应用提供产品和解决方案。欲了解有关该射频功率领域全球领先合作伙伴的详细信息,请访问www.ampleon.com